onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMC2610
N-Channel 200V 9.5A 2.2A N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200mΩ
Číslo dílu
FDMC2610
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
WDFN-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel MOSFET is a rugged gate version of the advanced Power Trench process. This product is ideal for power management applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 70047 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 80V 64A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 64A, 6.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 60A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 60A, 7.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 51A 11A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80 V, 51 A, 10 mΩ
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDMC2610
FDMC2610 Elektronické komponenty
FDMC2610 Odbyt
FDMC2610 Dodavatel
FDMC2610 Distributor
FDMC2610 Datová tabulka
FDMC2610 Fotky
FDMC2610 Cena
FDMC2610 Nabídka
FDMC2610 Nejnižší cena
FDMC2610 Vyhledávání
FDMC2610 Nákup
FDMC2610 Chip