onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBR120ESFT3G 20V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V

MBR120ESFT3G

20V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V
Číslo dílu
MBR120ESFT3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOD-123FL
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. This encapsulation is also an easy-to-use alternative to the leadless 34 encapsulation style. Due to its small size, it is suitable for portable battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 85359 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBR120ESFT3G
MBR120ESFT3G Elektronické komponenty
MBR120ESFT3G Odbyt
MBR120ESFT3G Dodavatel
MBR120ESFT3G Distributor
MBR120ESFT3G Datová tabulka
MBR120ESFT3G Fotky
MBR120ESFT3G Cena
MBR120ESFT3G Nabídka
MBR120ESFT3G Nejnižší cena
MBR120ESFT3G Vyhledávání
MBR120ESFT3G Nákup
MBR120ESFT3G Chip