onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBR130LSFT1G 30V 1A 380mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 30 V

MBR130LSFT1G

30V 1A 380mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 30 V
Číslo dílu
MBR130LSFT1G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOD-123F
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Using the Schottky diode potential barrier principle, a large area metal-silicon power diode is used. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. This encapsulation is also an easy-to-use alternative to the leadless 34 encapsulation style. Due to its small size, it is suitable for portable battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMICA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and any other application where performance and size are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 55006 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBR130LSFT1G
MBR130LSFT1G Elektronické komponenty
MBR130LSFT1G Odbyt
MBR130LSFT1G Dodavatel
MBR130LSFT1G Distributor
MBR130LSFT1G Datová tabulka
MBR130LSFT1G Fotky
MBR130LSFT1G Cena
MBR130LSFT1G Nabídka
MBR130LSFT1G Nejnižší cena
MBR130LSFT1G Vyhledávání
MBR130LSFT1G Nákup
MBR130LSFT1G Chip