onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMBT5551LT1G
NPN 160V 600mA High Voltage NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
MMBT5551LT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This high voltage NPN bipolar transistor is suitable for general switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 98012 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G Elektronické komponenty
MMBT5551LT1G Odbyt
MMBT5551LT1G Dodavatel
MMBT5551LT1G Distributor
MMBT5551LT1G Datová tabulka
MMBT5551LT1G Fotky
MMBT5551LT1G Cena
MMBT5551LT1G Nabídka
MMBT5551LT1G Nejnižší cena
MMBT5551LT1G Vyhledávání
MMBT5551LT1G Nákup
MMBT5551LT1G Chip