onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NCP5106BDR2G Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side

NCP5106BDR2G

Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
Číslo dílu
NCP5106BDR2G
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOIC-8-150mil
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 75348 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NCP5106BDR2G
NCP5106BDR2G Elektronické komponenty
NCP5106BDR2G Odbyt
NCP5106BDR2G Dodavatel
NCP5106BDR2G Distributor
NCP5106BDR2G Datová tabulka
NCP5106BDR2G Fotky
NCP5106BDR2G Cena
NCP5106BDR2G Nabídka
NCP5106BDR2G Nejnižší cena
NCP5106BDR2G Vyhledávání
NCP5106BDR2G Nákup
NCP5106BDR2G Chip