onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NRVTSM245ET3G 45V 2A 650mV@2A Trench Schottky diode, very low drain, 45V, 2A

NRVTSM245ET3G

45V 2A 650mV@2A Trench Schottky diode, very low drain, 45V, 2A
Číslo dílu
NRVTSM245ET3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
POWERMITE
Balení
taping
Počet balíků
12000
Popis
NRVTSM245E is a low leakage trench type Schottky diode. This new technology enables low forward voltage drop without the high reverse leakage found in planar Schottky diodes. This platform also provides very stable switching characteristics over a wide temperature range, making it an ideal output for switching power supplies.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 71150 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NRVTSM245ET3G
NRVTSM245ET3G Elektronické komponenty
NRVTSM245ET3G Odbyt
NRVTSM245ET3G Dodavatel
NRVTSM245ET3G Distributor
NRVTSM245ET3G Datová tabulka
NRVTSM245ET3G Fotky
NRVTSM245ET3G Cena
NRVTSM245ET3G Nabídka
NRVTSM245ET3G Nejnižší cena
NRVTSM245ET3G Vyhledávání
NRVTSM245ET3G Nákup
NRVTSM245ET3G Chip