TI (Texas Instruments)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
UCC27712DR
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.8A source current 1.8A
Číslo dílu
UCC27712DR
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
TI (Texas Instruments)
Encapsulation
SOIC-8
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
UCC27712 620-V high-side/low-side gate driver with 2.5-A peak output and robust drive capability
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 61196 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova UCC27712DR
UCC27712DR Elektronické komponenty
UCC27712DR Odbyt
UCC27712DR Dodavatel
UCC27712DR Distributor
UCC27712DR Datová tabulka
UCC27712DR Fotky
UCC27712DR Cena
UCC27712DR Nabídka
UCC27712DR Nejnižší cena
UCC27712DR Vyhledávání
UCC27712DR Nákup
UCC27712DR Chip