Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
ALD212908APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Číslo dílu
ALD212908APAL
Výrobce/značka
Série
EPAD®, Zero Threshold™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Provozní teplota
0°C ~ 70°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Výkon - Max
500mW
Dodavatelský balíček zařízení
8-PDIP
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
10.6V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80mA
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
20mV @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29919 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova ALD212908APAL
ALD212908APAL Elektronické komponenty
ALD212908APAL Odbyt
ALD212908APAL Dodavatel
ALD212908APAL Distributor
ALD212908APAL Datová tabulka
ALD212908APAL Fotky
ALD212908APAL Cena
ALD212908APAL Nabídka
ALD212908APAL Nejnižší cena
ALD212908APAL Vyhledávání
ALD212908APAL Nákup
ALD212908APAL Chip