Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOD2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Číslo dílu
AOD2N100
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54544 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOD2N100
AOD2N100 Elektronické komponenty
AOD2N100 Odbyt
AOD2N100 Dodavatel
AOD2N100 Distributor
AOD2N100 Datová tabulka
AOD2N100 Fotky
AOD2N100 Cena
AOD2N100 Nabídka
AOD2N100 Nejnižší cena
AOD2N100 Vyhledávání
AOD2N100 Nákup
AOD2N100 Chip