AOD3N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
Číslo dílu
AOD3N80
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48333 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOD3N80
AOD3N80 Elektronické komponenty
AOD3N80 Odbyt
AOD3N80 Dodavatel
AOD3N80 Distributor
AOD3N80 Datová tabulka
AOD3N80 Fotky
AOD3N80 Cena
AOD3N80 Nabídka
AOD3N80 Nejnižší cena
AOD3N80 Vyhledávání
AOD3N80 Nákup
AOD3N80 Chip