Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AON2701_001
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Číslo dílu
AON2701_001
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-DFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53771 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AON2701_001
AON2701_001 Elektronické komponenty
AON2701_001 Odbyt
AON2701_001 Dodavatel
AON2701_001 Distributor
AON2701_001 Datová tabulka
AON2701_001 Fotky
AON2701_001 Cena
AON2701_001 Nabídka
AON2701_001 Nejnižší cena
AON2701_001 Vyhledávání
AON2701_001 Nákup
AON2701_001 Chip