Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AON6532P
MOSFET N-CH DFN
Číslo dílu
AON6532P
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
-
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
35.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
710mV @ 1A
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26000 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AON6532P
AON6532P Elektronické komponenty
AON6532P Odbyt
AON6532P Dodavatel
AON6532P Distributor
AON6532P Datová tabulka
AON6532P Fotky
AON6532P Cena
AON6532P Nabídka
AON6532P Nejnižší cena
AON6532P Vyhledávání
AON6532P Nákup
AON6532P Chip