Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOTF11C60P
MOSFET N-CH
Číslo dílu
AOTF11C60P
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3F
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2333pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52056 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOTF11C60P
AOTF11C60P Elektronické komponenty
AOTF11C60P Odbyt
AOTF11C60P Dodavatel
AOTF11C60P Distributor
AOTF11C60P Datová tabulka
AOTF11C60P Fotky
AOTF11C60P Cena
AOTF11C60P Nabídka
AOTF11C60P Nejnižší cena
AOTF11C60P Vyhledávání
AOTF11C60P Nákup
AOTF11C60P Chip