Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOTF7S65

AOTF7S65

MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Číslo dílu
AOTF7S65
Série
aMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3F
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
434pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35157 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AOTF7S65
AOTF7S65 Elektronické komponenty
AOTF7S65 Odbyt
AOTF7S65 Dodavatel
AOTF7S65 Distributor
AOTF7S65 Datová tabulka
AOTF7S65 Fotky
AOTF7S65 Cena
AOTF7S65 Nabídka
AOTF7S65 Nejnižší cena
AOTF7S65 Vyhledávání
AOTF7S65 Nákup
AOTF7S65 Chip