Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOTF8N50

AOTF8N50

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Číslo dílu
AOTF8N50
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3F
Ztráta energie (max.)
38.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1042pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39659 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AOTF8N50
AOTF8N50 Elektronické komponenty
AOTF8N50 Odbyt
AOTF8N50 Dodavatel
AOTF8N50 Distributor
AOTF8N50 Datová tabulka
AOTF8N50 Fotky
AOTF8N50 Cena
AOTF8N50 Nabídka
AOTF8N50 Nejnižší cena
AOTF8N50 Vyhledávání
AOTF8N50 Nákup
AOTF8N50 Chip