Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOWF12N60

AOWF12N60

MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
Číslo dílu
AOWF12N60
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Dodavatelský balíček zařízení
-
Ztráta energie (max.)
28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
550 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25625 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AOWF12N60
AOWF12N60 Elektronické komponenty
AOWF12N60 Odbyt
AOWF12N60 Dodavatel
AOWF12N60 Distributor
AOWF12N60 Datová tabulka
AOWF12N60 Fotky
AOWF12N60 Cena
AOWF12N60 Nabídka
AOWF12N60 Nejnižší cena
AOWF12N60 Vyhledávání
AOWF12N60 Nákup
AOWF12N60 Chip