Koupit Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M621H TR MOSFET N-CH 20V 1A

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

CTLDM7120-M621H TR

MOSFET N-CH 20V 1A

Číslo dílu

CTLDM7120-M621H TR

Výrobce/značka

Central Semiconductor Corp

Série

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-65°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-XFDFN Exposed Pad

Dodavatelský balíček zařízení

TLM621H

Ztráta energie (max.)

1.6W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

100 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.5V, 4.5V

VGS (max.)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 40269 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

CTLDM303N-M832DS BK

MOSFET DUAL N-CHANNEL

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS BK

MOSFET DUAL N-CHANNEL

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM304P-M832DS TR