Koupit Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M621H BK MOSFET P-CH 20V DFN6

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

CTLDM8120-M621H BK

MOSFET P-CH 20V DFN6

Číslo dílu

CTLDM8120-M621H BK

Výrobce/značka

Central Semiconductor Corp

Stav sekce

Last Time Buy

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-65°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-XFDFN Exposed Pad

Dodavatelský balíček zařízení

TLM621H

Ztráta energie (max.)

1.6W (Ta)

Typ FET

P-Channel

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

950mA (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

150 mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 16V

VGS (max.)

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 4.5V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 31366 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

CTLDM303N-M832DS BK

MOSFET DUAL N-CHANNEL

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS BK

MOSFET DUAL N-CHANNEL

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

CTLDM304P-M832DS TR