Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CDBDSC5650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Číslo dílu
CDBDSC5650-G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-PAK (TO-252)
Typ diody
Silicon Carbide Schottky
Aktuální – Opravený průměr (Io)
21.5A (DC)
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Proud - Reverzní únik @ Vr
100µA @ 650V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
650V
Rychlost
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
0ns
Provozní teplota - křižovatka
-55°C ~ 175°C
Kapacita @ Vr, F
424pF @ 0V, 1MHz
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14887 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CDBDSC5650-G
CDBDSC5650-G Elektronické komponenty
CDBDSC5650-G Odbyt
CDBDSC5650-G Dodavatel
CDBDSC5650-G Distributor
CDBDSC5650-G Datová tabulka
CDBDSC5650-G Fotky
CDBDSC5650-G Cena
CDBDSC5650-G Nabídka
CDBDSC5650-G Nejnižší cena
CDBDSC5650-G Vyhledávání
CDBDSC5650-G Nákup
CDBDSC5650-G Chip