Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TB10S-G
BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS
Číslo dílu
TB10S-G
Výrobce/značka
Stav sekce
Obsolete
Technika
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-SMD, Gull Wing
Dodavatelský balíček zařízení
4-TBS
Typ diody
Single Phase
Napětí – převrácený vrchol (max.)
1kV
Aktuální – Opravený průměr (Io)
800mA
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
950mV @ 400mA
Proud - Reverzní únik @ Vr
10µA @ 1000V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6410 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TB10S-G
TB10S-G Elektronické komponenty
TB10S-G Odbyt
TB10S-G Dodavatel
TB10S-G Distributor
TB10S-G Datová tabulka
TB10S-G Fotky
TB10S-G Cena
TB10S-G Nabídka
TB10S-G Nejnižší cena
TB10S-G Vyhledávání
TB10S-G Nákup
TB10S-G Chip