C3M0280090J-TR
MOSFET N-CH 900V 11A
Číslo dílu
C3M0280090J-TR
Výrobce/značka
Série
C3M™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK-7
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 600V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
VGS (max.)
+18V, -8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8863 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR Elektronické komponenty
C3M0280090J-TR Odbyt
C3M0280090J-TR Dodavatel
C3M0280090J-TR Distributor
C3M0280090J-TR Datová tabulka
C3M0280090J-TR Fotky
C3M0280090J-TR Cena
C3M0280090J-TR Nabídka
C3M0280090J-TR Nejnižší cena
C3M0280090J-TR Vyhledávání
C3M0280090J-TR Nákup
C3M0280090J-TR Chip