DMG5802LFX-7
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Číslo dílu
DMG5802LFX-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-VFDFN Exposed Pad
Výkon - Max
980mW
Dodavatelský balíček zařízení
W-DFN5020-6
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
24V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1066.4pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27879 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG5802LFX-7
DMG5802LFX-7 Elektronické komponenty
DMG5802LFX-7 Odbyt
DMG5802LFX-7 Dodavatel
DMG5802LFX-7 Distributor
DMG5802LFX-7 Datová tabulka
DMG5802LFX-7 Fotky
DMG5802LFX-7 Cena
DMG5802LFX-7 Nabídka
DMG5802LFX-7 Nejnižší cena
DMG5802LFX-7 Vyhledávání
DMG5802LFX-7 Nákup
DMG5802LFX-7 Chip