Koupit Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

DMHC6070LSD-13

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Číslo dílu

DMHC6070LSD-13

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Výkon - Max

1.6W

Dodavatelský balíček zařízení

8-SO

Typ FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funkce FET

Standard

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

3.1A, 2.4A

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

100 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

731pF @ 20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 34859 PCS

Kontaktní informace

Související produkty