Koupit Diodes Incorporated DMN2016LFG-7 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

DMN2016LFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Číslo dílu

DMN2016LFG-7

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-PowerUDFN

Výkon - Max

770mW

Dodavatelský balíček zařízení

U-DFN3030-8

Typ FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funkce FET

Logic Level Gate

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

5.2A

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

18 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1472pF @ 10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 22648 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated