DMN2020LSN-7
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
Číslo dílu
DMN2020LSN-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SC-59-3
Ztráta energie (max.)
610mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1149pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18159 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMN2020LSN-7
DMN2020LSN-7 Elektronické komponenty
DMN2020LSN-7 Odbyt
DMN2020LSN-7 Dodavatel
DMN2020LSN-7 Distributor
DMN2020LSN-7 Datová tabulka
DMN2020LSN-7 Fotky
DMN2020LSN-7 Cena
DMN2020LSN-7 Nabídka
DMN2020LSN-7 Nejnižší cena
DMN2020LSN-7 Vyhledávání
DMN2020LSN-7 Nákup
DMN2020LSN-7 Chip