Koupit Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

DMN2400UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Číslo dílu

DMN2400UFB4-7

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

3-XFDFN

Dodavatelský balíček zařízení

X2-DFN1006-3

Ztráta energie (max.)

470mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

750mA (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

550 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 16V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 4.5V

VGS (max.)

±12V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 5417 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated