Koupit Diodes Incorporated DMN3016LDN-13 MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

DMN3016LDN-13

MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Číslo dílu

DMN3016LDN-13

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-PowerVDFN

Výkon - Max

Dodavatelský balíček zařízení

V-DFN3030-8 (Type J)

Typ FET

2 N-Channel (Dual)

Funkce FET

Standard

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

9.2A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

20 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 22392 PCS

Kontaktní informace

Související produkty