Koupit Diodes Incorporated DMN3190LDW-13 MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

DMN3190LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Číslo dílu

DMN3190LDW-13

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Výkon - Max

320mW

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-363

Typ FET

2 N-Channel (Dual)

Funkce FET

Logic Level Gate

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

190 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

87pF @ 20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 18743 PCS

Kontaktní informace

Související produkty