ZXMN2A04DN8TA
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Číslo dílu
ZXMN2A04DN8TA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.8W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.9A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22.1nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1880pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38425 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova ZXMN2A04DN8TA
ZXMN2A04DN8TA Elektronické komponenty
ZXMN2A04DN8TA Odbyt
ZXMN2A04DN8TA Dodavatel
ZXMN2A04DN8TA Distributor
ZXMN2A04DN8TA Datová tabulka
ZXMN2A04DN8TA Fotky
ZXMN2A04DN8TA Cena
ZXMN2A04DN8TA Nabídka
ZXMN2A04DN8TA Nejnižší cena
ZXMN2A04DN8TA Vyhledávání
ZXMN2A04DN8TA Nákup
ZXMN2A04DN8TA Chip