ZXMN6A11DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Číslo dílu
ZXMN6A11DN8TA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.8W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 40V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19480 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova ZXMN6A11DN8TA
ZXMN6A11DN8TA Elektronické komponenty
ZXMN6A11DN8TA Odbyt
ZXMN6A11DN8TA Dodavatel
ZXMN6A11DN8TA Distributor
ZXMN6A11DN8TA Datová tabulka
ZXMN6A11DN8TA Fotky
ZXMN6A11DN8TA Cena
ZXMN6A11DN8TA Nabídka
ZXMN6A11DN8TA Nejnižší cena
ZXMN6A11DN8TA Vyhledávání
ZXMN6A11DN8TA Nákup
ZXMN6A11DN8TA Chip