Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DB106G
DIODE BRIDGE 800V 1A DB
Číslo dílu
DB106G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Dodavatelský balíček zařízení
DB
Typ diody
Single Phase
Napětí – převrácený vrchol (max.)
800V
Aktuální – Opravený průměr (Io)
1A
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 1A
Proud - Reverzní únik @ Vr
10µA @ 800V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50796 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DB106G
DB106G Elektronické komponenty
DB106G Odbyt
DB106G Dodavatel
DB106G Distributor
DB106G Datová tabulka
DB106G Fotky
DB106G Cena
DB106G Nabídka
DB106G Nejnižší cena
DB106G Vyhledávání
DB106G Nákup
DB106G Chip