Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DB157G
DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB
Číslo dílu
DB157G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Dodavatelský balíček zařízení
DB
Typ diody
Single Phase
Napětí – převrácený vrchol (max.)
1kV
Aktuální – Opravený průměr (Io)
1.5A
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 1.5A
Proud - Reverzní únik @ Vr
5µA @ 1000V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36477 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DB157G
DB157G Elektronické komponenty
DB157G Odbyt
DB157G Dodavatel
DB157G Distributor
DB157G Datová tabulka
DB157G Fotky
DB157G Cena
DB157G Nabídka
DB157G Nejnižší cena
DB157G Vyhledávání
DB157G Nákup
DB157G Chip