GP1M003A080CH
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Číslo dílu
GP1M003A080CH
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
696pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35525 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GP1M003A080CH
GP1M003A080CH Elektronické komponenty
GP1M003A080CH Odbyt
GP1M003A080CH Dodavatel
GP1M003A080CH Distributor
GP1M003A080CH Datová tabulka
GP1M003A080CH Fotky
GP1M003A080CH Cena
GP1M003A080CH Nabídka
GP1M003A080CH Nejnižší cena
GP1M003A080CH Vyhledávání
GP1M003A080CH Nákup
GP1M003A080CH Chip