Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP1M006A065CH
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Číslo dílu
GP1M006A065CH
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1177pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7547 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GP1M006A065CH
GP1M006A065CH Elektronické komponenty
GP1M006A065CH Odbyt
GP1M006A065CH Dodavatel
GP1M006A065CH Distributor
GP1M006A065CH Datová tabulka
GP1M006A065CH Fotky
GP1M006A065CH Cena
GP1M006A065CH Nabídka
GP1M006A065CH Nejnižší cena
GP1M006A065CH Vyhledávání
GP1M006A065CH Nákup
GP1M006A065CH Chip