Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP1M006A065FH
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
Číslo dílu
GP1M006A065FH
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
39W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1177pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39461 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GP1M006A065FH
GP1M006A065FH Elektronické komponenty
GP1M006A065FH Odbyt
GP1M006A065FH Dodavatel
GP1M006A065FH Distributor
GP1M006A065FH Datová tabulka
GP1M006A065FH Fotky
GP1M006A065FH Cena
GP1M006A065FH Nabídka
GP1M006A065FH Nejnižší cena
GP1M006A065FH Vyhledávání
GP1M006A065FH Nákup
GP1M006A065FH Chip