Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Číslo dílu
GP1M006A065PH
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1177pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52961 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova GP1M006A065PH
GP1M006A065PH Elektronické komponenty
GP1M006A065PH Odbyt
GP1M006A065PH Dodavatel
GP1M006A065PH Distributor
GP1M006A065PH Datová tabulka
GP1M006A065PH Fotky
GP1M006A065PH Cena
GP1M006A065PH Nabídka
GP1M006A065PH Nejnižší cena
GP1M006A065PH Vyhledávání
GP1M006A065PH Nákup
GP1M006A065PH Chip