Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

MOSFET N-CH 250V 8A TO220
Číslo dílu
GP1M008A025HG
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
423pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51869 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova GP1M008A025HG
GP1M008A025HG Elektronické komponenty
GP1M008A025HG Odbyt
GP1M008A025HG Dodavatel
GP1M008A025HG Distributor
GP1M008A025HG Datová tabulka
GP1M008A025HG Fotky
GP1M008A025HG Cena
GP1M008A025HG Nabídka
GP1M008A025HG Nejnižší cena
GP1M008A025HG Vyhledávání
GP1M008A025HG Nákup
GP1M008A025HG Chip