Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Číslo dílu
GP1M008A080FH
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
40.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1921pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50427 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova GP1M008A080FH
GP1M008A080FH Elektronické komponenty
GP1M008A080FH Odbyt
GP1M008A080FH Dodavatel
GP1M008A080FH Distributor
GP1M008A080FH Datová tabulka
GP1M008A080FH Fotky
GP1M008A080FH Cena
GP1M008A080FH Nabídka
GP1M008A080FH Nejnižší cena
GP1M008A080FH Vyhledávání
GP1M008A080FH Nákup
GP1M008A080FH Chip