Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP1M010A060H

GP1M010A060H

MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Číslo dílu
GP1M010A060H
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
198W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1891pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45131 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova GP1M010A060H
GP1M010A060H Elektronické komponenty
GP1M010A060H Odbyt
GP1M010A060H Dodavatel
GP1M010A060H Distributor
GP1M010A060H Datová tabulka
GP1M010A060H Fotky
GP1M010A060H Cena
GP1M010A060H Nabídka
GP1M010A060H Nejnižší cena
GP1M010A060H Vyhledávání
GP1M010A060H Nákup
GP1M010A060H Chip