Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP1M010A080N
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Číslo dílu
GP1M010A080N
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PN
Ztráta energie (max.)
312W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2336pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53973 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GP1M010A080N
GP1M010A080N Elektronické komponenty
GP1M010A080N Odbyt
GP1M010A080N Dodavatel
GP1M010A080N Distributor
GP1M010A080N Datová tabulka
GP1M010A080N Fotky
GP1M010A080N Cena
GP1M010A080N Nabídka
GP1M010A080N Nejnižší cena
GP1M010A080N Vyhledávání
GP1M010A080N Nákup
GP1M010A080N Chip