Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP2M002A065PG
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Číslo dílu
GP2M002A065PG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
353pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18333 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GP2M002A065PG
GP2M002A065PG Elektronické komponenty
GP2M002A065PG Odbyt
GP2M002A065PG Dodavatel
GP2M002A065PG Distributor
GP2M002A065PG Datová tabulka
GP2M002A065PG Fotky
GP2M002A065PG Cena
GP2M002A065PG Nabídka
GP2M002A065PG Nejnižší cena
GP2M002A065PG Vyhledávání
GP2M002A065PG Nákup
GP2M002A065PG Chip