Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP2M010A060F

GP2M010A060F

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Číslo dílu
GP2M010A060F
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
700 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7816 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova GP2M010A060F
GP2M010A060F Elektronické komponenty
GP2M010A060F Odbyt
GP2M010A060F Dodavatel
GP2M010A060F Distributor
GP2M010A060F Datová tabulka
GP2M010A060F Fotky
GP2M010A060F Cena
GP2M010A060F Nabídka
GP2M010A060F Nejnižší cena
GP2M010A060F Vyhledávání
GP2M010A060F Nákup
GP2M010A060F Chip