Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP2M012A080NG
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
Číslo dílu
GP2M012A080NG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PN
Ztráta energie (max.)
416W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3370pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38638 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GP2M012A080NG
GP2M012A080NG Elektronické komponenty
GP2M012A080NG Odbyt
GP2M012A080NG Dodavatel
GP2M012A080NG Distributor
GP2M012A080NG Datová tabulka
GP2M012A080NG Fotky
GP2M012A080NG Cena
GP2M012A080NG Nabídka
GP2M012A080NG Nejnižší cena
GP2M012A080NG Vyhledávání
GP2M012A080NG Nákup
GP2M012A080NG Chip