Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP2M020A060N
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Číslo dílu
GP2M020A060N
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PN
Ztráta energie (max.)
347W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3184pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18381 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GP2M020A060N
GP2M020A060N Elektronické komponenty
GP2M020A060N Odbyt
GP2M020A060N Dodavatel
GP2M020A060N Distributor
GP2M020A060N Datová tabulka
GP2M020A060N Fotky
GP2M020A060N Cena
GP2M020A060N Nabídka
GP2M020A060N Nejnižší cena
GP2M020A060N Vyhledávání
GP2M020A060N Nákup
GP2M020A060N Chip