Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRF1018ES
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Číslo dílu
AUIRF1018ES
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34029 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF1018ES
AUIRF1018ES Elektronické komponenty
AUIRF1018ES Odbyt
AUIRF1018ES Dodavatel
AUIRF1018ES Distributor
AUIRF1018ES Datová tabulka
AUIRF1018ES Fotky
AUIRF1018ES Cena
AUIRF1018ES Nabídka
AUIRF1018ES Nejnižší cena
AUIRF1018ES Vyhledávání
AUIRF1018ES Nákup
AUIRF1018ES Chip