Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRF3710ZS
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Číslo dílu
AUIRF3710ZS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49135 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF3710ZS
AUIRF3710ZS Elektronické komponenty
AUIRF3710ZS Odbyt
AUIRF3710ZS Dodavatel
AUIRF3710ZS Distributor
AUIRF3710ZS Datová tabulka
AUIRF3710ZS Fotky
AUIRF3710ZS Cena
AUIRF3710ZS Nabídka
AUIRF3710ZS Nejnižší cena
AUIRF3710ZS Vyhledávání
AUIRF3710ZS Nákup
AUIRF3710ZS Chip