AUIRF7343QTR
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Číslo dílu
AUIRF7343QTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8547 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF7343QTR
AUIRF7343QTR Elektronické komponenty
AUIRF7343QTR Odbyt
AUIRF7343QTR Dodavatel
AUIRF7343QTR Distributor
AUIRF7343QTR Datová tabulka
AUIRF7343QTR Fotky
AUIRF7343QTR Cena
AUIRF7343QTR Nabídka
AUIRF7343QTR Nejnižší cena
AUIRF7343QTR Vyhledávání
AUIRF7343QTR Nákup
AUIRF7343QTR Chip