Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRF7379QTR
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Číslo dílu
AUIRF7379QTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2.5W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A, 4.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23315 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF7379QTR
AUIRF7379QTR Elektronické komponenty
AUIRF7379QTR Odbyt
AUIRF7379QTR Dodavatel
AUIRF7379QTR Distributor
AUIRF7379QTR Datová tabulka
AUIRF7379QTR Fotky
AUIRF7379QTR Cena
AUIRF7379QTR Nabídka
AUIRF7379QTR Nejnižší cena
AUIRF7379QTR Vyhledávání
AUIRF7379QTR Nákup
AUIRF7379QTR Chip