AUIRF7669L2TR
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Číslo dílu
AUIRF7669L2TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric L8
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET L8
Ztráta energie (max.)
3.3W (Ta), 100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Ta), 114A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5660pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29615 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TR Elektronické komponenty
AUIRF7669L2TR Odbyt
AUIRF7669L2TR Dodavatel
AUIRF7669L2TR Distributor
AUIRF7669L2TR Datová tabulka
AUIRF7669L2TR Fotky
AUIRF7669L2TR Cena
AUIRF7669L2TR Nabídka
AUIRF7669L2TR Nejnižší cena
AUIRF7669L2TR Vyhledávání
AUIRF7669L2TR Nákup
AUIRF7669L2TR Chip