Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRLR3636
MOSFET N-CH 60V 99A DPAK
Číslo dílu
AUIRLR3636
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
143W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3779pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32405 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRLR3636
AUIRLR3636 Elektronické komponenty
AUIRLR3636 Odbyt
AUIRLR3636 Dodavatel
AUIRLR3636 Distributor
AUIRLR3636 Datová tabulka
AUIRLR3636 Fotky
AUIRLR3636 Cena
AUIRLR3636 Nabídka
AUIRLR3636 Nejnižší cena
AUIRLR3636 Vyhledávání
AUIRLR3636 Nákup
AUIRLR3636 Chip